典型文献
全SiC结构高温压力传感器制备及测试
文献摘要：
面向极端条件下原位压力测量技术的需求,设计了一种光纤法珀式碳化硅(SiC)高温压力传感器.采用全SiC真空法珀(F-P)腔结构,以最大限度发挥SiC材料优异的耐高温特性.通过用反应离子刻蚀和高温高压键合技术成功制备了全SiC式高温压力传感器,实现高温环境下的原位压力测量.实验结果表明,该传感器能够实现650℃高温环境下6 MPa的压力测量.650℃下传感器的光谱压力灵敏度达到4.05 nm/MPa,温度压力交叉灵敏度为1.09×10-3MPa/℃.研究成果为面向高温环境下压力原位测量的传感器开发提供了思路.
文献关键词：
压力传感器;碳化硅;反应性离子刻蚀;直接键合
中图分类号：
作者姓名：
梁晓波;黄漫国;刘德峰;盛天宇;李健;蒋永刚
作者机构：
航空工业北京长城航空测控技术研究所,北京 101111;状态监测特种传感技术航空科技重点实验室,北京 101111;北京航空航天大学仿生与微纳系统研究所,北京 100191
文献出处：
引用格式：
[1]梁晓波;黄漫国;刘德峰;盛天宇;李健;蒋永刚-.全SiC结构高温压力传感器制备及测试)[J].测控技术,2022(06):15-18,25
A类：
反应性离子刻蚀
B类：
SiC,高温压力传感器,极端条件,压力测量技术,光纤法珀,碳化硅,真空法,耐高温,高温特性,高温高压,高温环境,下传,压力灵敏度,3MPa,下压力,原位测量,直接键合
AB值：
0.253465
相似文献
机标中图分类号，由域田数据科技根据网络公开资料自动分析生成，仅供学习研究参考。
