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典型文献
电场调控双层WSe2转角同质结激子莫尔势
文献摘要:
二维过渡金属硫化物构成的范德瓦耳斯异质结由于存在晶格失配或层间相对旋转角度会产生周期性的莫尔条纹结构,由此引入的纳米尺度莫尔周期势可以影响激子的空间传输过程.目前有关双层过渡金属硫化物转角同质结中激子莫尔势调控的研究比较有限,本工作利用第一性原理计算研究了外加垂直电场对不同旋转角度的双层WSe2同质结激子莫尔势的影响,发现层间激子莫尔势的大小和势垒/势阱的位置与层间相对旋转角度及电场强度有关,不同旋转角度的双层WSe2同质结激子莫尔势大小及势垒/势阱的位置随电场强度(?1 V/nm)的变化不同.这些结果为调控层间激子的局域与非局域转变提供了理论依据和数据预测,在推动人工激子晶体及纳米阵列激光器等半导体器件的发展方面具有重要指导意义.
文献关键词:
过渡金属硫化物;转角同质结;激子莫尔势;第一性原理计算
作者姓名:
石蓓蓓;陶广益;戴宇琛;何霄;林峰;张酣;方哲宇
作者机构:
北京大学物理学院,人工微结构和介观物理国家重点实验室,北京 100871
文献出处:
引用格式:
[1]石蓓蓓;陶广益;戴宇琛;何霄;林峰;张酣;方哲宇-.电场调控双层WSe2转角同质结激子莫尔势)[J].物理学报,2022(17):301-308
A类:
转角同质结,激子莫尔势,周期势
B类:
电场调控,WSe2,二维过渡金属,过渡金属硫化物,范德瓦耳斯异质结,晶格失配,旋转角度,莫尔条纹,纳米尺度,输过,第一性原理计算,外加,垂直电场,势垒,势阱,电场强度,非局域,数据预测,纳米阵列,激光器,半导体器件
AB值:
0.188064
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