典型文献
表界面调控米级二维单晶原子制造
文献摘要：
随着芯片尺寸不断缩小,短沟道效应、热效应日趋显著.开发全新的量子材料体系以实现高性能芯片器件应用已成为当前科技发展的迫切需求.二维材料作为一类重要的量子材料,其天然具备原子层厚度和平面结构,能够有效克服短沟道效应并兼容当代微纳加工工艺,非常有望应用于新一代高性能器件方向.与硅基芯片发展类似,二维材料芯片级器件应用必须基于高质量、大尺寸的二维单晶材料制造.然而,由于二维材料的表界面特性,现有体单晶制备技术不能完全适用于单原子层结构的二维单晶制造.因此,亟需发展新的制备策略以实现大尺寸、高质量的二维单晶原子制造.有鉴于此,本文重点综述表界面调控二维单晶大尺寸制备技术发展现状,总结梳理了米级二维单晶原子制造过程中的3个关键调控方向,即单畴生长调控、单晶衬底制备和多畴取向控制.最后,系统展望了大尺寸二维单晶在未来规模化芯片器件方向的潜在应用前景.
文献关键词：
二维材料;表界面调控;外延生长;取向控制
中图分类号：
作者姓名：
刘天瑶;刘灿;刘开辉
作者机构：
北京大学物理学院, 北京 100871;松山湖材料实验室, 东莞 510670
文献出处：
引用格式：
[1]刘天瑶;刘灿;刘开辉-.表界面调控米级二维单晶原子制造)[J].物理学报,2022(10):71-81
A类：
取向控制
B类：
表界面调控,芯片尺寸,短沟道效应,热效应,量子材料,材料体系,器件应用,前科,二维材料,平面结构,微纳加工工艺,硅基,芯片级,大尺寸,单晶材料,材料制造,表界面特性,制备技术,单原子,制备策略,有鉴于此,制造过程,生长调控,单晶衬底,潜在应用,外延生长
AB值：
0.301182
相似文献
机标中图分类号，由域田数据科技根据网络公开资料自动分析生成，仅供学习研究参考。
