典型文献
单晶SiC基片的磁流变化学复合抛光
文献摘要：
基于芬顿反应的磁流变化学复合抛光加工原理,对单晶SiC基片进行磁流变化学复合抛光试验,研究工艺参数对其抛光效果的影响.结果表明:随着金刚石磨粒粒径的增大,材料去除率先增大后减小,而表面粗糙度先减小后增大;随着磨粒质量分数的增大,材料去除率增大,而表面粗糙度先减小后增大;当羰基铁粉质量分数增大时,材料去除率增大,而表面粗糙度呈先减小后增大的趋势;随着氧化剂质量分数增大,材料去除率先增大后减小,而表面粗糙度呈现先减小后增大的趋势;加工间隙对材料去除率的影响较大,加工间隙为1.0 mm时,加工表面质量较好;随着工件转速和抛光盘转速增大,材料去除率均先增大后减小,表面粗糙度均先减小后增大.获得的优化的工艺参数为:磨粒粒径,1.0μm;磨粒质量分数,5％;羰基铁粉质量分数,25％;过氧化氢质量分数,5％;加工间隙,1.0 mm;工件转速,500 r/min;抛光盘转速,20 r/min.采用优化的工艺参数对表面粗糙度约为40.00 nm的单晶SiC进行加工,获得表面粗糙度为0.10 nm以下的光滑表面.
文献关键词：
磁流变化学复合抛光;芬顿反应;SiC
中图分类号：
作者姓名：
梁华卓;付有志;何俊峰;徐兰英;阎秋生
作者机构：
广东技术师范大学 机电学院, 广州 510000;广东工业大学 机电工程学院, 广州 510000
文献出处：
引用格式：
[1]梁华卓;付有志;何俊峰;徐兰英;阎秋生-.单晶SiC基片的磁流变化学复合抛光)[J].金刚石与磨料磨具工程,2022(01):129-135
A类：
磁流变化学复合抛光
B类：
单晶,SiC,基片,芬顿反应,加工原理,光效,金刚石磨粒,粒粒,材料去除率,表面粗糙度,先减,粒质量,羰基铁粉,氧化剂,加工间隙,加工表面质量,工件,光盘
AB值：
0.13104
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