典型文献
一种能够改善鲁棒性的新型4H-SiC ESD防护器件
文献摘要：
2020年,韩国学者以4H-SiC材料为基底提出了一种新型ESD防护器件HHFGNMOS(high holding voltage floating gate NMOSFET),此结构显著改善了4H-SiC GGNMOS(grounded-gate NMOSFET)因SiC材料特性导致的剧烈回滞现象.但是在HHFGNMOS结构中仍存在电流分布过于密集的问题.在本文中首次将comb-like结构用于HHFGNMOS防护器件,将器件的漏区底部进行梳型改造,充分利用电流集边效应使电流分布变得均匀,并通过TCAD仿真给出了Comb-like结构的设计变量对结构性能的影响.基于4H-SiC的GGNMOS,HHFGNMOS,Comb-like HHFGNMOS在TLP脉冲下的瞬态仿真结果显示,comb-like HHFGNMOS的二次失效电流IT2相比GGNMOS以及HHFGNMOS由17 A提高到22 A,提高了29％;此外comb-like HHFGN-MOS回滞相比GGNMOS及HHFGNMOS减小了55.2％和5％.因此在面积不变、工艺相兼容的情况下较大程度改善了器件的鲁棒性,减小了回滞效应.
文献关键词：
HHFGNMOS;Comb-like HHFGNMOS;4H-SiC;电流密度分布
中图分类号：
作者姓名：
常帅军;马海伦;李浩;欧树基;郭建飞;钟鸣浩;刘莉
作者机构：
西安电子科技大学微电子学院, 宽禁带半导体国家重点实验室, 西安 710071;西安电子科技大学广州研究院, 广州 510555
文献出处：
引用格式：
[1]常帅军;马海伦;李浩;欧树基;郭建飞;钟鸣浩;刘莉-.一种能够改善鲁棒性的新型4H-SiC ESD防护器件)[J].物理学报,2022(19):348-354
A类：
HHFGNMOS,GGNMOS,HHFGN
B类：
4H,SiC,ESD,防护器件,韩国学,国学者,high,holding,voltage,floating,gate,NMOSFET,grounded,材料特性,回滞,电流分布,comb,like,梳型,TCAD,Comb,设计变量,结构性能,TLP,冲下,瞬态仿真,IT2,电流密度分布
AB值：
0.295403
相似文献
机标中图分类号，由域田数据科技根据网络公开资料自动分析生成，仅供学习研究参考。
