典型文献
Cr3+掺杂LiScSi2O6近红外荧光粉的荧光性能及pc-LED器件研究
文献摘要：
红外荧光粉是制备基于蓝光芯片宽带近红外光源的关键.采用高温固相法制备了 LiScSi2O6∶Cr3+近红外荧光粉样品并制备了相应的pc-LED器件,详细研究了样品的光致发光特性及pc-LED的性能.荧光粉在460nm蓝光激发下产生中心波长为850nm,半高宽约为156nm的宽带近红外光谱.在温度为160℃时,发光峰的强度下降为室温下的75.38％.把粉体涂覆在InGaN蓝光芯片(Pmax=5W)表面制备的近红外pc-LED,得到最大近红外光输出功率为436.7mW@300mA,最大电光转化效率为18.3％@1mA.采用pc-LED作为红外光源,隐藏在油墨下的文字信息清晰可见,表明该红外荧光粉可用于制备基于蓝光芯片的宽带红外光源,且在夜视和信息防伪领域有良好的应用前景.
文献关键词：
近红外;荧光粉;铬;宽带;荧光转换发光二极管
中图分类号：
作者姓名：
陈雪花;胡贞华
作者机构：
韶关学院智能工程学院,广东韶关512005;韶关学院信息工程学院,广东韶关512005
文献出处：
引用格式：
[1]陈雪花;胡贞华-.Cr3+掺杂LiScSi2O6近红外荧光粉的荧光性能及pc-LED器件研究)[J].光学技术,2022(06):668-673
A类：
LiScSi2O6,156nm,荧光转换发光二极管
B类：
Cr3+,近红外荧光粉,荧光性能,pc,LED,蓝光芯片,宽带,近红外光源,高温固相法,光致发光特性,460nm,光激发,发下,中心波长,850nm,半高宽,近红外光谱,降为,粉体,涂覆,覆在,InGaN,Pmax,5W,表面制备,光输出功率,7mW,300mA,电光,光转化,转化效率,1mA,油墨,文字信息,清晰可见,夜视,信息防伪
AB值：
0.369995
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