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GaN基Micro-LED的外量子效率研究
文献摘要：
基于氮化镓材料的微型发光二极管(micro-LED)已逐渐成为可见光通信和下一代显示器等许多光电器件的主要发光源.由非辐射复合和量子限制斯塔克效应(QCSE)引起的低外量子效率(EQE)是微型发光二极管应用开发过程中的主要瓶颈.文章讨论了微型发光二极管低EQE的成因,分析了其物理特性,并提出了改善其EQE的优化方法.
文献关键词：
光萃取效率;内量子效率;外量子效率;微型发光二极管;尺寸效应
中图分类号：
作者姓名：
杨杭;黄文俊;张胡梦圆;林永红;刘召军
作者机构：
南方科技大学电子与电气工程系,广东深圳518000
文献出处：
引用格式：
[1]杨杭;黄文俊;张胡梦圆;林永红;刘召军-.GaN基Micro-LED的外量子效率研究)[J].半导体光电,2022(03):522-528
A类：
量子限制斯塔克效应,QCSE,光萃取效率
B类：
GaN,Micro,LED,外量子效率,效率研究,氮化镓,微型发光二极管,micro,可见光通信,下一代,显示器,光电器件,光源,非辐射复合,EQE,应用开发,开发过程,物理特性,内量子效率,尺寸效应
AB值：
0.292368
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