典型文献
具有M形空穴阻挡层结构的AlGaN基深紫外激光二极管性能优化
文献摘要：
为有效降低深紫外激光二极管(DUV-LD)在n型区的空穴泄露,优化其工作性能,提出了一种新颖的M形空穴阻挡层(HBL)结构.使用Crosslight软件对矩形、N形和M形三种空穴阻挡层结构进行仿真研究和对比,发现M形空穴阻挡层结构能够更有效地降低n型区的空穴泄露,增加量子阱内的辐射复合率,同时降低激光二极管的阈值电压与阈值电流,提升激光二极管的电光转换效率与输出功率,表明M形空穴阻挡层结构能够有效降低DUV-LD在n型区的空穴泄露并优化其工作性能.
文献关键词：
激光技术;深紫外激光二极管;AlGaN;M形空穴阻挡层;空穴泄露
中图分类号：
作者姓名：
张傲翔;王瑶;王梦真;魏士钦;王芳;刘玉怀
作者机构：
郑州大学电气与信息工程学院电子材料与系统国际联合研究中心,河南 郑州 450001;郑州唯独电子科技有限公司,河南 郑州 450001;郑州大学产业技术研究院有限公司,河南郑州450001
文献出处：
引用格式：
[1]张傲翔;王瑶;王梦真;魏士钦;王芳;刘玉怀-.具有M形空穴阻挡层结构的AlGaN基深紫外激光二极管性能优化)[J].量子电子学报,2022(04):583-590
A类：
空穴泄露
B类：
空穴阻挡,阻挡层,AlGaN,深紫外激光二极管,性能优化,DUV,LD,工作性能,HBL,Crosslight,仿真研究,增加量,量子阱,阈值电压,阈值电流,电光转换效率,输出功率,激光技术
AB值：
0.202978
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