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基于空穴存储层的深紫外激光二极管性能优化
文献摘要：
为改善深紫外激光二极管(DUV-LD)有源区内空穴注入效率低的问题,在传统DUV-LD结构基础上引入空穴存储层(HRL),并将HRL改为Al摩尔分数从n区到p区递减的五阶梯HRL.用Crosslight公司的Lastip软件对该HRL进行数值研究,结果表明,该结构可以获得更高的载流子辐射复合速率和更低的阈值电流.当五阶梯Al摩尔分数递减的HRL位于DUV-LD最后一层量子势垒和上波导层之间时,电子泄漏最小,器件性能得到明显改善.
文献关键词：
激光光学;深紫外激光二极管;空穴存储层;空穴注入效率;电子泄漏
中图分类号：
作者姓名：
王梦真;王瑶;魏士钦;王芳;全智;刘玉怀
作者机构：
郑州大学信息工程学院电子材料与系统国际联合研究中心,河南郑州450001;郑州唯独电子科技有限公司,河南郑州450001;郑州大学产业技术研究院有限公司,河南郑州450001
文献出处：
引用格式：
[1]王梦真;王瑶;魏士钦;王芳;全智;刘玉怀-.基于空穴存储层的深紫外激光二极管性能优化)[J].激光与光电子学进展,2022(23):186-191
A类：
空穴存储层,Lastip,上波导层
B类：
深紫外激光二极管,性能优化,DUV,LD,有源,源区,空穴注入效率,HRL,摩尔分数,Crosslight,数值研究,载流子,复合速率,阈值电流,势垒,电子泄漏,器件性能,激光光学
AB值：
0.220447
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