典型文献
微纳米线距标准样片的研制与应用
文献摘要：
为了精确控制线宽尺寸参数,研制了一套周期尺寸为100 nm～10μm的线距标准样片.首先,依据样片的应用进行了图形设计,分别采用电子束直写和投影光刻技术开发出线距标准样片,并对制备出的样片进行考核,考核参数包括线距尺寸、均匀性、稳定性.并与VLSI同等量值样片的质量参数进行了对比,以周期尺寸为100 nm的样片为例进行表征,研制的样片均匀性为1.8 nm,稳定性为0.6 nm,VLSI样片的均匀性为1.5 nm;并使用CD-SEM对样片进行了定值,整体不确定度为3.9 nm～23 nm(k=2).研制的线距样片不仅包括光栅结构,还包括格栅结构,可以对不同的测试设备进行现场校准.
文献关键词：
微纳米;线距样片;研制;CD-SEM;均匀性;稳定性;校准
中图分类号：
作者姓名：
赵琳;张晓东;韩志国;李锁印;许晓青;冯亚南;吴爱华
作者机构：
中国电子科技集团公司第十三研究所,河北 石家庄050051
文献出处：
引用格式：
[1]赵琳;张晓东;韩志国;李锁印;许晓青;冯亚南;吴爱华-.微纳米线距标准样片的研制与应用)[J].传感技术学报,2022(11):1451-1457
A类：
微纳米线,电子束直写,线距样片
B类：
标准样,研制与应用,精确控制,控制线,线宽,尺寸参数,图形设计,光刻技术,技术开发,出线,核参数,VLSI,等量,质量参数,CD,不确定度,光栅结构,格栅结构,测试设备,现场校准
AB值：
0.279774
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