典型文献
硼掺杂金刚石/二硫化钼/金刚石复合膜的电致发光特性
文献摘要：
本研究在P型硅衬底上制备了硼掺杂金刚石/MoS2/金刚石复合膜结构的电致发光器件.对器件中薄膜层的组成和微观结构进行了表征,并对器件的伏安特性和电致发光特性进行了研究.结果表明,器件的I-V曲线有轻微的不对称性;器件在正接和反接时都可以发光,但器件的电致发光光谱有明显差异:器件正接时有两个发光宽峰分别位于420和660 nm处,而器件在反接时的两个发光宽峰则分别位于436和680 nm处,且器件反接时的发光强度是正接时的5.4倍.原因在于器件外加不同方向电压时,各薄膜层对电致发光光谱的贡献不同.
文献关键词：
二硫化钼;金刚石薄膜;电致发光
中图分类号：
作者姓名：
杨鑫伟;王小平;王丽军;陈佳兴
作者机构：
上海理工大学 理学院,上海 200093
文献出处：
引用格式：
[1]杨鑫伟;王小平;王丽军;陈佳兴-.硼掺杂金刚石/二硫化钼/金刚石复合膜的电致发光特性)[J].材料科学与工程学报,2022(03):430-434,498
A类：
B类：
硼掺杂,二硫化钼,发光特性,硅衬底,MoS2,复合膜结构,电致发光器件,膜层,伏安特性,不对称性,反接,接时,发光光谱,发光强度,外加,同方向,金刚石薄膜
AB值：
0.231608
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