典型文献
h-BN/diamond异质结的制备与沟道载流子输运性质
文献摘要：
基于h-BN钝化的氢终端金刚石表面导电沟道表现出高的空穴迁移率,但是当前h-BN钝化金刚石主要采用机械剥离的方法,无法实现大尺寸导电沟道,难以满足实际的应用要求.本文系统地开展了经典转移h-BN对氢终端金刚石表面导电沟道的载流子输运影响研究.通过微波化学气相沉积外延生长高质量单晶金刚石,并通过表面氢化处理得到氢终端金刚石.通过湿法转移不同层数h-BN制备出h-BN/H-diamond异质结,系统地研究了沟道载流子输运特征.研究结果表明,h-BN转移后沟道导电性能明显增强,且随着h-BN厚度的增加,沟道导电性增强效果趋于稳定.多层h-BN的转移可使氢终端金刚石表面载流子密度提升近2倍,方阻降低到之前的50％.当前的结果显示h-BN/H-diamond异质结可能存在转移掺杂效果,使得载流子密度显著提升.伴随载流子密度的增加,h-BN钝化的金刚石表面沟道迁移率保持稳定,h-BN在金刚石表面吸附,使得原本在氢终端表面的负电荷向h-BN表面移动,作用距离加大,减弱了氢终端金刚石导电沟道中空穴和介质层负电荷的耦合作用,使其迁移率保持稳定.
文献关键词：
氢终端金刚石;异质结;六方氮化硼;湿法转移
中图分类号：
作者姓名：
贾燕伟;何健;何萌;朱肖华;赵上熳;刘金龙;陈良贤;魏俊俊;李成明
作者机构：
北京科技大学新材料技术研究院,北京 100083;北京科技大学顺德研究生院,佛山 528300
文献出处：
引用格式：
[1]贾燕伟;何健;何萌;朱肖华;赵上熳;刘金龙;陈良贤;魏俊俊;李成明-.h-BN/diamond异质结的制备与沟道载流子输运性质)[J].物理学报,2022(22):319-326
A类：
氢终端金刚石
B类：
BN,diamond,异质结,载流子,输运性质,钝化,空穴迁移率,机械剥离,大尺寸,应用要求,微波化学,化学气相沉积,外延生长,单晶金刚石,氢化,理得,湿法转移,层数,导电性能,明显增强,增强效果,方阻,沟道迁移率,表面吸附,负电荷,作用距离,中空,耦合作用,六方氮化硼
AB值：
0.196954
相似文献
机标中图分类号，由域田数据科技根据网络公开资料自动分析生成，仅供学习研究参考。
