典型文献
基于介质工程研制高性能黑磷顶栅器件
文献摘要：
在这个工作中,作者通过电子束沉积二氧化铪(HfO2)作为栅介质,并沉积1nm锡(Sn)作为生长HfO2的缓冲层,获得了场效应迁移率超过100cm2Y-1s-1的黑磷(BP)顶栅场效应晶体管(TG-FETs).通过测试BPTG-FETs在不同漏源电压下的转移特性曲线,发现了漏极偏压会引起栅控效应.进一步地,在较小电压下探究了BPTG-FETs不同沟道长度的源漏电流饱和情况,这可用于BP射频器件的研究.最后,对BP顶栅器件的量子电容进行了相关研究,从测量的C-V曲线和转移特性曲线中直接提取并计算出栅介质氧化物电容和BP量子电容,此过程无需再引入任何其他拟合参数,BP量子电容的测量也为探索BP的态密度和电子器件可压缩性提供了重要依据.
文献关键词：
HfO2薄膜;顶栅晶体管;黑磷;电子束沉积;缓冲层
中图分类号：
作者姓名：
王中正;于奎栋;胡长征;徐茂
作者机构：
上海公安学院 上海200137
文献出处：
引用格式：
[1]王中正;于奎栋;胡长征;徐茂-.基于介质工程研制高性能黑磷顶栅器件)[J].真空科学与技术学报,2022(05):347-351
A类：
电子束沉积,100cm2Y,BPTG,顶栅晶体管
B类：
基于介质,黑磷,氧化铪,HfO2,栅介质,1nm,Sn,缓冲层,迁移率,1s,场效应晶体管,FETs,转移特性曲线,偏压,栅控,下探,沟道,道长,漏电流,射频器件,量子电容,中直,再引入,何其,拟合参数,态密度,电子器件,可压缩性
AB值：
0.32989
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