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基于低功函数铪电极的Si纳米空气沟道二极管研究
文献摘要：
基于电子无散射弹道输运的纳米空气沟道二极管具有响应速度快和截止频率高等特点,在毫米波与太赫兹领域中有着巨大的应用潜力.本文研究了以低功函数金属Hf为电极的Si基垂直结构纳米空气沟道二极管的1-V与时间响应特性,并与相同结构的Au电极器件进行了对比.研究发现,相比于先前文献报道较多的截面发射结构,面内发射构型的Hf电极纳米空气沟道二极管发射电流增强了近2倍,5 V电压下达到13.5 mA,并且其I-V曲线线型从符合空间电荷限制电流的V3/2变成了符合F-N场发射的规律.相比于以Au为电极的Si基纳米空气沟道二极管,以Hf为电极的器件发射电流显著提升了近4倍,且器件响应上升沿仅为2 ns,具有超快响应的特性,通过降低器件面积和电容还可进一步提升响应速度.
文献关键词：
纳米空气沟道二极管;低功函数;截面发射;面内发射;空间电荷限制电流;场发射
中图分类号：
作者姓名：
王佳超;黄瑞涵;马培胜;魏亚洲;赵海全;陈飞良;李沫;张健
作者机构：
电子科技大学电子科学与工程学院,四川成都610054;电子科技大学先进毫米波技术集成攻关研究院,四川成都610054
文献出处：
引用格式：
[1]王佳超;黄瑞涵;马培胜;魏亚洲;赵海全;陈飞良;李沫;张健-.基于低功函数铪电极的Si纳米空气沟道二极管研究)[J].真空电子技术,2022(06):29-35
A类：
低功函数,纳米空气沟道二极管,截面发射,面内发射
B类：
Si,射弹,弹道,输运,响应速度快,截止频率,毫米波,太赫兹,Hf,垂直结构,时间响应,响应特性,Au,先前,前文,发射结,下达,mA,线型,空间电荷限制电流,V3,场发射,基纳,ns,超快响应
AB值：
0.232949
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