典型文献
正极性重复脉冲电压下有机硅凝胶-PI界面的沿面放电特性
文献摘要：
高压大功率绝缘栅双极型晶体管器件(insulated gate bipolar transistor,IGBT)器件封装绝缘问题已成为高压大功率IGBT器件自主研制的关键制约因素之一.由于器件内部芯片终端钝化层处场强较高,导致钝化层最外层的聚酰亚胺(polyimide,PI)与封装材料有机硅凝胶的界面之间易于发生沿面放电,此位置是弹性压接型IGBT器件封装绝缘薄弱的环节.为此面向IGBT正常运行时所承受的正极性重复方波电压工况,建立了有机硅凝胶-PI界面沿面放电特性试验平台,同步采集放电过程中光脉冲信号以及放电脉冲信号,试验中发现有机硅凝胶-PI界面沿面放电在方波上升沿以及方波的高电平区出现了多次正向放电,同时在方波下降沿以及低电平区出现了多次反向放电.基于测量得到的光电倍增管中检测到的光信号与沿面放电脉冲一一对应关系,提出了提取重叠于方波电压上升和下降过程中的位移电流波形中的沿面放电脉冲的方法,实现了沿面放电脉冲的准确提取.在此基础上,分析了沿面放电脉冲的波形参数及放电瞬时电压的统计特性,结果表明,不同电压周期中的沿面放电脉冲时间参数具有统计独立性,即各个周期的沿面放电过程相互独立,随着外施电压升高,放电次数以及脉冲幅值均增加.最后,结合放电脉冲特性,给出了正极性重复方波电压作用下有机硅凝胶与PI材料沿面放电特性的定性机理解释.
文献关键词：
正极性重复方波;有机硅凝胶;聚酰亚胺;沿面放电;放电脉冲
中图分类号：
作者姓名：
杨昊;李学宝;赵志斌;崔翔;张西子;唐新灵
作者机构：
华北电力大学新能源电力系统国家重点实验室,北京102206;先进输电技术国家重点实验室(全球能源互联网研究院有限公司),北京102209
文献出处：
引用格式：
[1]杨昊;李学宝;赵志斌;崔翔;张西子;唐新灵-.正极性重复脉冲电压下有机硅凝胶-PI界面的沿面放电特性)[J].高电压技术,2022(02):724-735
A类：
有机硅凝胶,正极性重复方波
B类：
脉冲电压,沿面放电,高压大功率,绝缘栅双极型晶体管,insulated,gate,bipolar,transistor,IGBT,封装绝缘,自主研制,钝化层,场强,外层,聚酰亚胺,polyimide,封装材料,压接型,缘薄,放电特性试验,试验平台,同步采集,放电过程,光脉冲,放电脉冲,电脉冲信号,高电平,低电平,光电倍增管,光信号,一一对应,位移电流,电流波形,波形参数,统计特性,时间参数,数具,相互独立,电压升高,脉冲幅值,脉冲特性,机理解释
AB值：
0.232679
相似文献
机标中图分类号，由域田数据科技根据网络公开资料自动分析生成，仅供学习研究参考。
