典型文献
质子辐照下正照式和背照式图像传感器的单粒子瞬态效应
文献摘要：
CMOS图像传感器应用于空间任务时容易受到质子单粒子效应影响.本文采用商用正照式(FSI)和背照式(BSI)CMOS图像传感器开展了不同能量的质子辐照实验,实验中通过在线测试方法分析质子单粒子效应.其中,质子能量最高为200 MeV,总注量为1010 particle/cm2,结果未发现外围电路的单粒子效应,但观察到像素阵列出现不同形状的单粒子瞬态亮斑.通过提取瞬态亮斑沉积能量和尺寸大小两个特征参数,比较了不同能量质子对瞬态亮斑特征的影响,以及FSI和BSI中瞬态亮斑特征的差异.最后,结合仿真方法,与实验结果进行比较,预测了质子在CMOS图像传感器像素单元产生瞬态亮斑的能量沉积分布.仿真结果验证了光电二极管耗尽区厚度减小和外延层减薄是导致BSI图像传感器中质子能量沉积分布左移的主要因素.
文献关键词：
CMOS图像传感器;质子辐照;单粒子效应;瞬态亮斑
中图分类号：
作者姓名：
傅婧;蔡毓龙;李豫东;冯婕;文林;周东;郭旗
作者机构：
中国科学院新疆理化技术研究所,乌鲁木齐 830011;新疆电子信息材料与器件重点实验室,乌鲁木齐 830011;中国科学院大学,北京 100049;中国科学院微小卫星创新研究院,上海 200011
文献出处：
引用格式：
[1]傅婧;蔡毓龙;李豫东;冯婕;文林;周东;郭旗-.质子辐照下正照式和背照式图像传感器的单粒子瞬态效应)[J].物理学报,2022(05):176-183
A类：
瞬态亮斑
B类：
质子辐照,照下,式图,图像传感器,单粒子瞬态效应,CMOS,空间任务,单粒子效应,商用,FSI,BSI,照实,在线测试,MeV,particle,外围电路,列出,沉积能量,仿真方法,像素单元,能量沉积,沉积分布,光电二极管,耗尽,外延层,减薄,左移
AB值：
0.257302
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