典型文献
高可靠性的读写分离14T存储单元设计
文献摘要：
为了提高航空航天设备的可靠性和运行速度,提出了一种新型读写分离的14T静态随机存储器(SRAM)单元.基于65 nm体硅CMOS工艺,对读写分离14T存储单元的性能进行仿真,并通过在关键节点注入相应的电流源模拟高能粒子轰击,分析了该单元抗单粒子翻转(Single Event Upset,SEU)的能力.与传统6T相比,该单元写速度、读静态噪声容限和位线写裕度分别提升了约5.1％、20.7％和36.1％.写速度优于其他存储单元,读噪声容限优于6T单元和双联锁存储单元(DICE),在具有较好的抗SEU能力的同时,提高了读写速度和读静态噪声容限.
文献关键词：
静态随机存储器;高可靠性;读写分离;单粒子效应
中图分类号：
作者姓名：
张景波;朱亚男;彭春雨;赵强
作者机构：
工业和信息化部产业发展促进中心,北京100084;安徽大学集成电路学院,合肥230601
文献出处：
引用格式：
[1]张景波;朱亚男;彭春雨;赵强-.高可靠性的读写分离14T存储单元设计)[J].电子与封装,2022(01):45-51
A类：
14T,Upset
B类：
高可靠性,读写分离,存储单元,单元设计,航空航天,航天设备,运行速度,静态随机存储器,SRAM,体硅,CMOS,对读,关键节点,电流源,轰击,单粒子翻转,Single,Event,SEU,6T,噪声容限,位线,裕度,双联,联锁,锁存,DICE,单粒子效应
AB值：
0.353184
相似文献
机标中图分类号，由域田数据科技根据网络公开资料自动分析生成，仅供学习研究参考。
