典型文献
28 nm CMOS工艺8-Gbps SerDes单粒子辐射特性研究
文献摘要：
本文研究了28 nm体硅CMOS工艺下8-Gbps通用结构高速并转串/串转并接口(Serializer/Deserializer,SerDes)的单粒子辐射特性,该SerDes由电压模发送器(Transmitter,TX)和相位插值(Phase Interpolation,PI)型接收器(Receiver,RX)组成,通过双指数电流源对整个SerDes的TX和RX进行了单粒子效应仿真,仿真结果表明该SerDes的TX和RX均会发生单粒子瞬态(Single-Event Transient,SET),且主要敏感节点包括:D触发器,采样器和时钟相位插值器.进一步采用脉冲激光对整个SerDes进行了扫描测试,测试结果验证了仿真结论.该研究为抗辐射SerDes的研制提供了重要的理论依据.
文献关键词：
串转并/并转串接口;单粒子效应;双指数电流源仿真;敏感节点;脉冲激光测试
中图分类号：
作者姓名：
文溢;陈建军;梁斌;池雅庆;黄俊
作者机构：
国防科技大学计算机科学学院,湖南长沙410073
文献出处：
引用格式：
[1]文溢;陈建军;梁斌;池雅庆;黄俊-.28 nm CMOS工艺8-Gbps SerDes单粒子辐射特性研究)[J].电子学报,2022(11):2653-2658
A类：
Serializer,Deserializer,双指数电流源仿真,脉冲激光测试
B类：
CMOS,Gbps,SerDes,单粒子辐射,辐射特性,体硅,压模,发送器,Transmitter,TX,相位插值,Phase,Interpolation,接收器,Receiver,RX,单粒子效应,单粒子瞬态,Single,Event,Transient,SET,敏感节点,触发器,采样器,时钟,抗辐射,串接
AB值：
0.337994
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