典型文献
芯片制造语境下的计算光刻技术
文献摘要：
计算光刻技术是提高分辨率的重要手段,是连接芯片设计与制造的桥梁.首先,介绍了计算光刻技术的起源即第1代光学邻近效应校正(OPC)技术,基于规则的OPC;随后,以14 nm芯片制造过程为例介绍了现代芯片制造采用的各种计算光刻技术,包括基于模型的第2代OPC技术、光源掩模联合优化技术、二次成像图形拆分技术.最后,介绍了计算光刻的发展趋势,包括反向光刻技术、曲线掩模、人工智能应用及协同优化.综合芯片设计、制造、检测的集成优化将是未来计算光刻发展的主要方向.
文献关键词：
计算光刻;光学邻近效应校正;全景优化;反向光刻
中图分类号：
作者姓名：
施伟杰;俞宗强;蒋俊海;车永强;李思坤
作者机构：
东方晶源微电子科技(北京)有限公司,北京100176;中芯北方集成电路制造(北京)有限公司,北京100176;中国科学院上海光学精密机械研究所信息光学与光电子技术实验室,上海201800
文献出处：
引用格式：
[1]施伟杰;俞宗强;蒋俊海;车永强;李思坤-.芯片制造语境下的计算光刻技术)[J].激光与光电子学进展,2022(09):1-14
A类：
计算光刻,光学邻近效应校正,邻近效应校正,光源掩模联合优化,反向光刻,全景优化
B类：
芯片制造,光刻技术,提高分辨率,芯片设计,设计与制造,OPC,基于规则,制造过程,基于模型,优化技术,二次成像,拆分,人工智能应用,协同优化,合芯,集成优化,主要方向
AB值：
0.19514
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