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计算光刻研究及进展
文献摘要：
光刻是将集成电路器件的结构图形从掩模转移到硅片或其他半导体基片表面上的工艺过程,是实现高端芯片量产的关键技术.在摩尔定律的推动下,光刻技术跨越了 90～7 nm及以下的多个工艺节点,逐步逼近其分辨率的物理极限.同时,光刻系统的衍射受限特性,以及各类系统像差、误差和工艺偏差,都会严重影响光刻成像精度.此时,必须采用计算光刻技术来提高光刻成像分辨率和图形保真度.计算光刻是涉及光学、半导体技术、计算科学、图像与信号处理、材料科学、信息学等多个专业的交叉研究领域.它以光学成像和工艺建模为基础,采用数学方法对光刻成像过程进行全链路的仿真与优化,实现成像误差的高精度补偿,能够有效提升工艺窗口和芯片制造良率,降低光刻工艺的研发周期与成本,目前已成为高端芯片制程的核心环节之一.本文首先简单介绍了计算光刻的前身,即传统的分辨率增强技术,在此基础上介绍了计算光刻的基本原理、模型和算法.之后对光学邻近效应校正、光源优化和光源掩模联合优化三种常用的计算光刻技术进行了综述,总结了相关的研究进展、成果和应用.最后,阐述了计算光刻当前所面临的需求与挑战,并讨论了最新技术进展和未来发展方向.
文献关键词：
计算光刻;分辨率增强技术;先进半导体制造工艺;光学光刻;计算光学;光电图像处理
中图分类号：
作者姓名：
马旭;张胜恩;潘毅华;张钧碧;余成臻;董立松;韦亚一
作者机构：
北京理工大学光电学院,光电成像与系统教育部重点实验室,北京100081;中国科学院微电子研究所先导工艺研发中心,北京100029;中国科学院大学微电子学院,北京100049
文献出处：
引用格式：
[1]马旭;张胜恩;潘毅华;张钧碧;余成臻;董立松;韦亚一-.计算光刻研究及进展)[J].激光与光电子学进展,2022(09):112-160
A类：
计算光刻,半导体基片,图形保真,光学邻近效应校正,邻近效应校正,光源掩模联合优化,先进半导体制造工艺,光学光刻
B类：
集成电路,结构图,硅片,工艺过程,摩尔定律,光刻技术,技术跨越,逼近,像差,刻成,成像精度,保真度,半导体技术,计算科学,信号处理,材料科学,交叉研究,光学成像,工艺建模,数学方法,全链路,现成,精度补偿,工艺窗口,芯片制造,良率,低光,光刻工艺,研发周期,芯片制程,核心环节,前身,分辨率增强技术,和算,技术进展,计算光学,光电图像处理
AB值：
0.265204
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