典型文献
超宽带高功率高增益放大器芯片设计
文献摘要：
介绍了一种基于HEMT工艺的高增益、高功率宽带单片微波集成电路功率放大器芯片.该芯片采用六个三堆叠式晶体管管胞构成非均匀分布式放大器结构,可获得高增益和高功率输出能力.在0.1～20 GHz超宽带频率范围内,该芯片增益为19±1.5 dB,功率输出能力为38 dBm,尺寸为2×3.1 mm2.同时,该芯片可以覆盖到更低频段(接近DC工作范围),当采用两个0.22μH的锥形电感作为偏置扼流圈时,这个放大器的芯片可以向下拓展到1 MHz并且具备21 dB增益.
文献关键词：
HMET;超宽带;高压技术;低功耗;功率放大器
中图分类号：
作者姓名：
邬海峰;王测天;胡柳林;林倩
作者机构：
成都嘉纳海威科技有限责任公司,四川 成都 610220;青海民族大学,青海 西宁 810007
文献出处：
引用格式：
[1]邬海峰;王测天;胡柳林;林倩-.超宽带高功率高增益放大器芯片设计)[J].现代信息科技,2022(10):64-66
A类：
分布式放大器,HMET
B类：
超宽带,高功率,高增益,芯片设计,HEMT,单片微波集成电路,功率放大器,三堆,堆叠式,晶体管,管管,管胞,非均匀分布,功率输出,输出能力,GHz,dBm,mm2,低频段,DC,工作范围,锥形,偏置,扼流圈,MHz,高压技术,低功耗
AB值：
0.364047
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