典型文献
SPAD探测器深n阱保护环宽度对暗计数噪声的影响
文献摘要：
为了探究单光子雪崩二极管(SPAD)器件的保护环宽度(WGR)对暗计数噪声的影响,基于标准180 nm CMOS工艺,设计了以低浓度掺杂深n阱(DNW)为保护环的p阱(PW)/DNW结构,通过实验和TCAD仿真研究了WGR对暗计数噪声的影响.实验结果表明,当WGR从1 μm增加到21μm时,室温下SPAD器件的暗计数率(DCR)从79 kHz显著减小到17 kHz;当WGR从2 μm增加到3 μm时,DCR不再发生明显变化.TCAD仿真揭示了当WGR从2 μm减小到1μm时,保护环区域的电场强度增长较大,导致缺陷辅助隧穿(TAT)效应引起的暗计数显著增加.当WGR增加到2 μm以上时,保护环区域的电场强度不再降低,继续增大WGR对降低DCR不再有效,反而会导致SPAD器件填充因子减小.因此DNW WGR为2 μm的SPAD器件在具有低暗计数率的同时又有较小的尺寸,有利于高密度阵列的集成.
文献关键词：
单光子雪崩二极管(SPAD);暗计数率(DCR);保护环;缺陷辅助隧穿(TAT);激活能
中图分类号：
作者姓名：
董杰;刘丹璐;许唐;徐跃
作者机构：
南京邮电大学集成电路科学与工程学院,南京 210023;射频集成与微组装技术国家地方联合工程实验室,南京 210023
文献出处：
引用格式：
[1]董杰;刘丹璐;许唐;徐跃-.SPAD探测器深n阱保护环宽度对暗计数噪声的影响)[J].半导体技术,2022(12):979-984
A类：
B类：
SPAD,探测器,保护环,暗计,单光子,光子雪崩,二极管,WGR,CMOS,DNW,PW,TCAD,仿真研究,计数率,DCR,kHz,再发,环区,电场强度,强度增长,TAT,再降,再有,填充因子,激活能
AB值：
0.262642
机标中图分类号，由域田数据科技根据网络公开资料自动分析生成，仅供学习研究参考。
