典型文献
用于CdZnTe探测器的高速前端读出电路
文献摘要：
采用0.35 μm CMOS工艺,设计了一种用于CdZnTe探测器的16通道高速前端读出电路.整体电路由16个模拟通道、偏置模块和逻辑控制模块组成,每个通道包括电荷敏感放大器、漏电流补偿电路、成形器、基线保持电路、峰值检测保持电路和时间甄别器.分析了高入射频率下主要电路模块的性能及通道的读出时序.仿真结果表明,本前端读出电路的输入能量范围为29～430 keV@1～15 fC,每个通道功耗小于1.8 mW,等效噪声电荷为87.6e-,最大能补偿的漏电流为50 nA,达峰时间为150 ns,通道增益为50 mV/fC,非线性小于1％,最高注入频率为500 kHz.
文献关键词：
前端读出电路;CdZnTe探测器;高速;单光子发射计算机断层成像
中图分类号：
作者姓名：
王巍;张定冬;赵汝法;刘博文;张珊;熊德宇;黎淼
作者机构：
重庆邮电大学光电学院/国际半导体学院,重庆400065
文献出处：
引用格式：
[1]王巍;张定冬;赵汝法;刘博文;张珊;熊德宇;黎淼-.用于CdZnTe探测器的高速前端读出电路)[J].微电子学,2022(03):376-382
A类：
前端读出电路
B类：
CdZnTe,探测器,CMOS,路由,偏置,逻辑控制,控制模块,电荷,放大器,漏电流,电流补偿,保持电路,峰值检测,甄别器,入射频率,电路模块,keV,fC,功耗,mW,6e,nA,达峰时间,ns,mV,kHz,单光子发射计算机断层成像
AB值：
0.330563
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