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基于双极工艺的高速MOSFET栅驱动电路
文献摘要：
基于2 μm双极工艺设计了全新的高速功率栅驱动电路,并内置了死区时间控制电路,该电路可以防止驱动器内部电源接地形成短路而烧毁器件.工作电压范围为5～35 V,传输上升延迟时间不大于25ns,下降延迟时间不大于32ns,上升、下降建立时间不超过12ns,工作电流不超过45mA.
文献关键词：
功率栅驱动电路;延迟时间;死区时间控制
中图分类号：
作者姓名：
邱旻韡;屈柯柯;李思察;郭刚
作者机构：
中国电子科技集团公司第五十八研究所,江苏无锡 214035;中国原子能科学研究院,北京 102413
文献出处：
引用格式：
[1]邱旻韡;屈柯柯;李思察;郭刚-.基于双极工艺的高速MOSFET栅驱动电路)[J].电子与封装,2022(10):56-60
A类：
栅驱动,功率栅驱动电路,死区时间控制,25ns,32ns,12ns,45mA
B类：
双极,MOSFET,工艺设计,内置,控制电路,驱动器,短路,烧毁,毁器,工作电压范围,延迟时间,建立时间
AB值：
0.207282
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