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一种低电磁干扰的高边驱动电路
文献摘要：
提出了 一种低电磁干扰(Electromagnetic Interference,EMI)的高边驱动电路.针对传统设计中存在的振荡器工作过程中产生的高电压或电流尖峰引起严重EMI以及宽电压范围下MOSFET栅击穿等问题,提出了一种新的系统方案及电路结构,同时从傅氏级数及空间交变电磁场两个方面解释了抖频技术如何抑制EMI.基于Hynix 0.18 μm BCD工艺进行设计与仿真,仿真结果表明,在5 MHz的振荡器频率下抖频后的各奇次谐波频带均被展宽,在三次谐波处降幅高达12.3 dB,大大改善了系统的电磁兼容性,同时电路可以在电源电压为4.5～37V的范围内正常工作.该设计方案可以广泛用于高压集成电路设计领域.
文献关键词：
抖频;高边驱动;EMI抑制;电源电压
中图分类号：
作者姓名：
赵皆辉;刘兴辉;阮昊;霍建龙;张治东;赵宏亮
作者机构：
辽宁大学物理学院,沈阳 110000;江苏集萃智能集成电路设计技术研究所有限公司,江苏无锡214000
文献出处：
引用格式：
[1]赵皆辉;刘兴辉;阮昊;霍建龙;张治东;赵宏亮-.一种低电磁干扰的高边驱动电路)[J].电子与封装,2022(06):53-59
A类：
傅氏级数,Hynix,37V
B类：
电磁干扰,高边驱动电路,Electromagnetic,Interference,EMI,传统设计,振荡器,高电压,尖峰,宽电压范围,围下,MOSFET,击穿,系统方案,电路结构,交变电磁场,抖频,BCD,设计与仿真,MHz,波频,频带,展宽,三次谐波,dB,电磁兼容性,电源电压,高压集成电路,集成电路设计
AB值：
0.387784
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