典型文献
砷锗镉晶体的生长和变温霍尔效应研究
文献摘要：
采用温度振荡法和改进的布里奇曼法进行了CdGeAs2多晶合成与单晶生长,生长出?28 mm×65 mm完整无开裂的CdGeAs2单晶体.用金刚石外圆切割机切割出CdGeAs2晶片,采用X射线衍射(XRD)和X射线能量色散谱仪(EDS)对合成的多晶粉末和切割出的晶片进行表征.结果表明,合成产物为单相四方黄铜矿结构的CdGeAs2多晶,晶片的原子百分比接近于理想化学计量比.经傅里叶变换红外分光光度计测试发现,初生长的CdGeAs2晶体在11.3μm处的吸收系数为0.117 cm-1,经过拟合计算得出禁带宽度为0.52 eV.通过变温(110～300 K)霍尔效应测试表明,CdGeAs2晶体在110～300 K温度范围内都为p型导电,载流子浓度pH和霍尔系数RH随温度的升高分别升高和下降,而霍尔迁移率μH几乎不变.拟合计算出晶体中受主电离能EA=0.305 eV,并进一步分析了生长晶体中可能存在的受主缺陷.
文献关键词：
半导体晶体;CdGeAs2晶体;类籽晶技术;布里奇曼法;单晶生长;多晶合成;变温霍尔效应;红外透过谱
中图分类号：
作者姓名：
李佳樨;熊正斌;肖骁;刘心尧;余孟秋;陈宝军;黄巍;何知宇
作者机构：
四川大学材料科学与工程学院,成都 610064
文献出处：
引用格式：
[1]李佳樨;熊正斌;肖骁;刘心尧;余孟秋;陈宝军;黄巍;何知宇-.砷锗镉晶体的生长和变温霍尔效应研究)[J].人工晶体学报,2022(02):193-199
A类：
变温霍尔效应,CdGeAs2,多晶合成,类籽晶技术,红外透过谱
B类：
温度振荡,振荡法,布里奇曼法,单晶生长,单晶体,金刚石,外圆,切割机,割出,晶片,线能量,能量色散,色散谱,EDS,单相,黄铜矿,理想化,化学计量比,傅里叶变换红外,外分,分光光度计,计测,初生,吸收系数,过拟合,拟合计算,禁带宽度,eV,测试表明,载流子浓度,RH,迁移率,电离能,EA,半导体晶体
AB值：
0.255071
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