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Ⅲ-Ⅵ族InSe半导体晶体生长研究进展
文献摘要：
Ⅲ-Ⅵ族InSe晶体是一种非常重要的化合物半导体材料,在高性能纳米电子器件、红外光探测、光电器件及柔性电子等领域有广泛应用.本文简要介绍了In-Se相图的发展历程,InSe具有非一致熔融特性,可通过包晶反应从准化学剂量比或非化学剂量比溶液中析晶获得,其中In/Se摩尔比对InSe转化率有重要影响.迄今,垂直布里奇曼法、提拉法、水平梯度凝固法、低温液相法及气相输运法等多种技术被成功用于制备InSe晶体.为全面了解InSe晶体生长的历史和现状,本文从工艺原理、技术要点、晶体生长结果等方面将国内外相关工作进行了梳理,并对各种方法的优缺点进行了比较.研究分析表明:垂直布里奇曼法因对设备要求简单,操作简易,现已成为制备高质量大尺寸InSe晶体的主流技术;水平梯度凝固法则在ε型InSe晶体生长方面颇具特色,未来可在新材料性能研究与应用探索上与垂直布里奇曼法形成一定补充.
文献关键词：
InSe;半导体;晶体生长;垂直布里奇曼法
中图分类号：
作者姓名：
何峰;白旭东;陆欣昱;郑树颍;李荣斌;刘学超;魏天然;史迅;金敏
作者机构：
上海理工大学材料与化学学院,上海 200093;山东大学晶体材料国家重点实验室,济南 250100;乌镇实验室,桐乡 314500;上海电机学院材料学院,上海 201306;中国科学院上海硅酸盐研究所,上海 201899;上海交通大学材料科学与工程学院,上海 200240
文献出处：
引用格式：
[1]何峰;白旭东;陆欣昱;郑树颍;李荣斌;刘学超;魏天然;史迅;金敏-.Ⅲ-Ⅵ族InSe半导体晶体生长研究进展)[J].人工晶体学报,2022(09):1722-1731
A类：
B类：
InSe,半导体晶体,晶体生长,化合物半导体,半导体材料,电子器件,光探测,光电器件,柔性电子,相图,非一致,熔融特性,包晶反应,化学剂,或非,非化学,析晶,摩尔比,垂直布里奇曼法,提拉法,凝固,液相法,输运,多种技术,功用,工艺原理,技术要点,生长结果,法因,备要,大尺寸,颇具,材料性能,应用探索
AB值：
0.256516
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