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nBn红外探测器研究进展
文献摘要：
nBn红外探测器旨在消除肖特基-里德-霍尔产生复合电流,这将有效降低器件的暗电流并提高工作温度.由于制造工艺的兼容性和晶格匹配的衬底的存在,基于III-V化合物(包括二类超晶格材料)的nBn红外探测器得到了快速发展.通过理论模拟,基于HgCdTe材料的nBn红外探测器也能有效抑制暗电流.然而,去除价带势垒的困难阻碍了HgCdTe nBn器件的发展.本综述将阐述nBn探测器抑制暗电流的物理机制,并介绍nBn探测器在不同材料体系中的发展现状和趋势.
文献关键词：
nBn红外探测器;Sb基III-V族半导体;二类超晶格;碲镉汞
中图分类号：
作者姓名：
石倩;张书魁;王建禄;褚君浩
作者机构：
中国科学院上海光学精密机械研究所,上海201800;中国科学院大学杭州高等研究院物理与光电工程学院,浙江杭州310024;中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室,上海200083;复旦大学光电研究院上海市智能光电与感知前沿科学研究基地,上海200433;复旦大学芯片与系统前沿技术研究院上海200433
文献出处：
引用格式：
[1]石倩;张书魁;王建禄;褚君浩-.nBn红外探测器研究进展)[J].红外与毫米波学报,2022(01):139-150
A类：
nBn
B类：
红外探测器,肖特基,里德,霍尔,暗电流,高工作温度,制造工艺,兼容性,和晶格,衬底,III,二类超晶格,晶格材料,理论模拟,HgCdTe,价带,势垒,物理机制,不同材料,材料体系,现状和趋势,Sb,碲镉汞
AB值：
0.279013
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