典型文献
宽带高线性高隔离无源双平衡混频器
文献摘要：
基于InGap/GaAs HBT工艺设计了一款宽带无源双平衡混频器,针对双平衡混频器射频中频交叠及射频到中频端口隔离度差的问题,采用了双混频环+新型滤波补偿网络的结构,不仅提高了隔离度和线性度,同时扩宽了带宽,改善了混频器整体性能.射频、本振频率为1.5～5.0 GHz,射频功率为-10 dBm,本振功率为13 dBm,中频频率为DC～1.5 GHz.仿真结果表明,变频损耗(Conversion Loss)为7 dB,本振与射频信号隔离度(Iso_LO/RF)为44 dB,本振与中频信号隔离度(Iso_LO/IF)为45 dB,射频与中频信号隔离度(Iso_RF/IF)为35 dB,ⅡP3为20 dBm,芯片面积为1.6 mm×1.6 mm.
文献关键词：
砷化镓;双平衡结构;滤波补偿网络;双混频环;隔离度;线性度
中图分类号：
作者姓名：
张博;黄晴;吴昊谦
作者机构：
西安邮电大学 电子工程学院, 陕西 西安 710121
文献出处：
引用格式：
[1]张博;黄晴;吴昊谦-.宽带高线性高隔离无源双平衡混频器)[J].电子元件与材料,2022(04):423-428
A类：
双平衡混频器,InGap,双混频环,滤波补偿网络,双平衡结构
B类：
宽带,高线性,高隔离,无源,GaAs,HBT,工艺设计,交叠,端口隔离度,线性度,扩宽,整体性能,本振,GHz,射频功率,dBm,频频,DC,变频损耗,Conversion,Loss,射频信号,信号隔离,Iso,LO,RF,中频信号,IF,P3,砷化镓
AB值：
0.269447
机标中图分类号，由域田数据科技根据网络公开资料自动分析生成，仅供学习研究参考。
