典型文献
一种用于硅基光电子芯片端面封装的深硅刻蚀工艺
文献摘要：
硅基光电子芯片的端面耦合器具有大带宽、低损耗、偏振不敏感等优点,使人们希望在端面封装方面获得突破.提出了一种用于硅基光电子芯片端面封装的深硅刻蚀工艺,利用等离子体刻蚀形成的斜面与光纤阵列的封装面进行匹配封装,降低封装中的耦合反射;利用斜面刻蚀工艺和深硅刻蚀工艺相结合的方法制备深硅刻蚀槽,提高了晶圆划片的冗余度,通过控制深硅刻蚀槽内的划片位置来消除台阶凸起对光纤封装造成的不利影响,使在后续封装过程中无需对芯片端面台阶凸起实施磨抛工艺.实验结果显示,基于该工艺,端面耦合器损耗劣化小于0.1 dB.该封装结构可以在晶圆流片阶段实现制备,具有可大规模生产、降低硅基光电子芯片端面封装成本的优点,以及广阔的工程应用前景.
文献关键词：
硅基光电子芯片;端面耦合器;封装;磨抛;深硅刻蚀
中图分类号：
作者姓名：
赵恒;何来胜;杨伟;葛邦同;何金城
作者机构：
联合微电子中心有限责任公司,重庆401332
文献出处：
引用格式：
[1]赵恒;何来胜;杨伟;葛邦同;何金城-.一种用于硅基光电子芯片端面封装的深硅刻蚀工艺)[J].半导体技术,2022(01):33-36
A类：
硅基光电子芯片,端面耦合器
B类：
深硅刻蚀,刻蚀工艺,大带宽,低损耗,偏振不敏感,等离子体刻蚀,斜面,光纤阵列,晶圆,划片,冗余度,槽内,凸起,装造,装过,磨抛,劣化,dB,封装结构,流片,规模生产,低硅,装成
AB值：
0.183098
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