典型文献
硅基锗PIN光电探测器的研究进展
文献摘要：
随着硅基锗薄膜外延技术的突破,基于硅基锗材料的光电子器件快速发展,其中以硅基锗光电探测器最为突出.由于锗可以实现近红外通信波段的光吸收,而且完全兼容硅的CMOS工艺,硅基锗探测器几乎成为硅基光探测的唯一选择.文章主要介绍了面入射和波导耦合两类常见硅基锗光电探测器的研究进展,包括典型的器件结构,以及提升响应度和带宽等性能的主要途径.
文献关键词：
硅基锗探测器;面入射;波导耦合
中图分类号：
作者姓名：
刘智;成步文
作者机构：
中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室,北京100083;中国科学院大学材料科学与光电技术学院,北京100049
文献出处：
引用格式：
[1]刘智;成步文-.硅基锗PIN光电探测器的研究进展)[J].半导体光电,2022(02):261-266
A类：
硅基锗探测器
B类：
PIN,光电探测器,锗薄膜,光电子器件,近红外,通信波段,光吸收,CMOS,光探测,面入射,波导耦合,器件结构,响应度
AB值：
0.275104
相似文献
机标中图分类号，由域田数据科技根据网络公开资料自动分析生成，仅供学习研究参考。
