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全封装的薄膜铌酸锂电光调制器
文献摘要：
高速电光调制器是宽带光通信网络和微波光子系统中的关键元器件之一.相对于体材料铌酸锂而言,薄膜铌酸锂材料由于其较强的光场限制能力,在构建小尺寸、宽带、低半波电压的高性能电光调制芯片上有独特的优势.文章基于薄膜铌酸锂材料研制了一种3 dB带宽不低于50 GHz的电光调制芯片,并采用光纤与波导水平端面耦合的光学封装方案和基于1.85 mm同轴接头的射频封装方案,实现了全封装的薄膜铌酸锂电光调制器.测量结果表明,封装后器件的光学插入损耗小于等于5 dB,3dB带宽大于等于40 GHz,射频半波电压小于等于3 V@1 GHz.
文献关键词：
微波光子学;薄膜铌酸锂;电光调制器
中图分类号：
作者姓名：
尚成林;陶诗琪;孙昊骋;潘安;曾成;夏金松
作者机构：
华中科技大学武汉光电国家研究中心,武汉430074;上海安湃芯研科技有限公司,上海201803
文献出处：
引用格式：
[1]尚成林;陶诗琪;孙昊骋;潘安;曾成;夏金松-.全封装的薄膜铌酸锂电光调制器)[J].半导体光电,2022(01):95-99
A类：
B类：
封装,薄膜铌酸锂,锂电,电光调制器,宽带,光通信网络,键元,元器件,光场,小尺寸,半波电压,制芯,GHz,光纤,波导,端面,同轴,接头,插入损耗,3dB,宽大,微波光子学
AB值：
0.191265
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