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具有电荷存储层的快速响应、高稳定、高效率全彩量子点发光二极管
文献摘要：
溶液法处理的量子点发光二极管(QLEDs)已经成为下一代照明和显示器件有希望的候选者.然而,QLEDs的正向老化问题会极大地降低器件的响应速度并导致发光延迟,严重限制了QLEDs器件在高动态显示领域的应用.本文中,我们在有机空穴注入层和空穴传输层之间引入电荷存储层硫氰酸亚铜(CuSCN),存储的空穴将在下一次电信号刺激期间释放以提高电荷传输效率,从而使QLEDs器件的响应速度提高一个数量级.此外,通过插入无机CuSCN层,红/绿/蓝全彩QLEDs器件的效率、寿命和环境稳定性同时得到了提升.这项工作为制造快速响应和高性能的全彩QLEDs提供了一种通用策略.
文献关键词：
中图分类号：
作者姓名：
朱阳斌;刘洋;胡海龙;徐中炜;白洁玉;杨开宇;郭太良;李福山
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引用格式：
[1]朱阳斌;刘洋;胡海龙;徐中炜;白洁玉;杨开宇;郭太良;李福山-.具有电荷存储层的快速响应、高稳定、高效率全彩量子点发光二极管)[J].中国科学：材料科学（英文）,2022(04):1012-1019
A类：
B类：
电荷存储,存储层,快速响应,高稳定,全彩,量子点发光二极管,溶液法,QLEDs,下一代,照明,显示器件,候选者,响应速度,高动态,动态显示,空穴注入层,空穴传输层,硫氰酸,CuSCN,电信号,电荷传输,传输效率,高一,数量级,环境稳定性
AB值：
0.350991
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