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忆阻器堆叠交叉阵列漏电流问题研究进展
文献摘要：
忆阻器是一种新型的非易失性存储器,具有结构简单、功耗低、集成密度高、类突触性质等特点.忆阻器主要以交叉阵列的形式作为人工突触,被用于构造人工神经网络,然而,忆阻器的交叉阵列面临着潜在的通路漏电流问题,这阻碍了忆阻器的进一步应用.文章简要分析了忆阻器堆叠交叉阵列产生漏电流的原因,主要介绍了二极管-忆阻器、选通器-忆阻器、晶体管-忆阻器等多种抑制漏电流的方案,总结并展望了超大规模集成忆阻器的应用前景.
文献关键词：
忆阻器;漏电流;1T1R;1S1R;1D1R
中图分类号：
作者姓名：
谭翊鑫;何慧凯
作者机构：
中国电子科技南湖研究院,浙江嘉兴314001;中国科学技术大学先进技术研究院,合肥230000
文献出处：
引用格式：
[1]谭翊鑫;何慧凯-.忆阻器堆叠交叉阵列漏电流问题研究进展)[J].微电子学,2022(06):1016-1026
A类：
1D1R
B类：
忆阻器,堆叠,漏电流,流问题,非易失性存储器,结构简单,功耗,密度高,人工突触,造人,人工神经网络,二极管,晶体管,超大规模,大规模集,1T1R,1S1R
AB值：
0.249048
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