典型文献
肖特基二极管高温反向偏置失效分析与改善
文献摘要：
肖特基二极管在高温反向偏置(High Temperature Reverse Bias,HTRB)试验后失效,烘烤或化学开盖后芯片电参数恢复.通过超声扫描分层检查,确定失效原因来自芯片和封装的匹配.在芯片改善受限制的情况下,通过改善封装气密性、离子污染,解决了 HTRB失效.同时系统探讨了从设计上预防气密性失效的方法.
文献关键词：
高温反向偏置;可靠性;封装气密性;离子污染
中图分类号：
作者姓名：
胡敏;彭俊睿
作者机构：
乐山无线电股份有限公司,四川乐山 614000
文献出处：
引用格式：
[1]胡敏;彭俊睿-.肖特基二极管高温反向偏置失效分析与改善)[J].电子与封装,2022(03):90-94
A类：
高温反向偏置,封装气密性
B类：
肖特基二极管,失效分析,High,Temperature,Reverse,Bias,HTRB,烘烤,电参数,失效原因,受限制,离子污染
AB值：
0.269406
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