典型文献
220 GHz GaAs单片集成分谐波混频器
文献摘要：
基于在30 μm厚的GaAs衬底上开发的平面肖特基二极管,设计了 220 GHz GaAs单片集成分谐波混频器.考虑了二极管外形结构对电磁波传输的影响,采用场路结合联合仿真的经典方法建立二极管模型来仿真其电性能,并利用这一模型在非线性电路仿真软件中对混频器的性能进行仿真和优化.制作的220 GHz分谐波混频器模块在本振频率为110 GHz、输入功率为6 dBm的条件下进行测试.结果表明,在射频频率210～220 GHz内,混频器模块的单边带变频损耗小于11dB,在220 GHz处具有最小变频损耗,为7.2dB.
文献关键词：
单片集成电路;分谐波混频器;肖特基二极管;建模;变频损耗
中图分类号：
作者姓名：
杨大宝;赵向阳;刘波;邢东;冯志红
作者机构：
中国电子科技集团公司第十三研究所,石家庄 050051;专用集成电路国家级重点实验室,石家庄 050051
文献出处：
引用格式：
[1]杨大宝;赵向阳;刘波;邢东;冯志红-.220 GHz GaAs单片集成分谐波混频器)[J].半导体技术,2022(11):886-890
A类：
分谐波混频器,11dB
B类：
GHz,GaAs,衬底,肖特基二极管,管外,外形结构,电磁波,场路结合,联合仿真,经典方法,电性能,非线性电路,电路仿真,本振,输入功率,dBm,频频,单边带,变频损耗,2dB,单片集成电路
AB值：
0.249244
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