典型文献
氮化镓器件芯片表面银迁移抑制方法研究
文献摘要：
封装贴片所用烧结银胶中的银元素有可能在高温高湿度条件下转化为离子并在高电场作用下沿芯片表面迁移从而导致器件电极间漏电甚至短路.本研究工作采用高加速应力实验(HAST)作为加速检验手段,通过对失效样品的物理分析,首先确认了银迁移是引起所观察到失效的根源.器件表面电场模拟结果显示,引入适当的环形屏蔽电极可以有效降低关键区域的电场强度.实验结果证实采用了带有优化设计屏蔽电极芯片的产品其芯片表面的银迁移现象得到了充分抑制,极大提高了采用烧结银胶贴片工艺生产的氮化镓器件的可靠性(栅漏电异常比例由48％降为0％),使其达到满足实际工业应用的水平.
文献关键词：
氮化镓;器件芯片;烧结银胶;银迁移
中图分类号：
作者姓名：
别业楠;裴轶;赵树峰
作者机构：
中兴通讯股份有限公司;苏州能讯高能半导体有限公司
文献出处：
引用格式：
[1]别业楠;裴轶;赵树峰-.氮化镓器件芯片表面银迁移抑制方法研究)[J].中国集成电路,2022(10):55-60
A类：
烧结银胶,HAST
B类：
氮化镓器件,器件芯片,银迁移,抑制方法,封装,银元,高温高湿,高湿度,电场作用,漏电,短路,高加速,加速应力,表面电场,电场模拟,屏蔽电极,关键区域,电场强度,贴片工艺,降为,工业应用
AB值：
0.328936
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