典型文献
铌在单晶硅扩散中的行为实验分析
文献摘要：
阐述在某些新型器件的制备过程中需要使用金属铌作为特殊材料进行微细加工工艺,因此需要评估如何控制研发线上的铌浓度,实验估计铌从单晶硅片背面扩散到正面的时间,以及扩散系数.
文献关键词：
集成电路制造;微细加工工艺;扩散系数;金属铌
中图分类号：
作者姓名：
姚峰英;吴佳宏;胡睿
作者机构：
上海集成电路研发中心,上海 201203
文献出处：
引用格式：
[1]姚峰英;吴佳宏;胡睿-.铌在单晶硅扩散中的行为实验分析)[J].集成电路应用,2022(09):22-23
A类：
B类：
行为实验,新型器件,制备过程,金属铌,特殊材料,微细加工工艺,单晶硅片,背面,扩散系数,集成电路制造
AB值：
0.324369
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