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MMIC多功能芯片源漏金属异常的分析
文献摘要：
采用超薄TEM分析技术,解决了15 nm以下厚度的MMIC多功能芯片金属薄膜的分析瓶颈问题.首先,对一款多功能芯片源漏制作工艺中源漏金属薄膜的凸起部分进行了纳米维度的能谱分析,准确地定位了故障点的存在位置;然后,分析并阐述了该异常造成源漏金属薄膜失效的过程和机理;最后,提出了相应的解决方案,为提高产品成品率提供了一定的指导.
文献关键词：
多功能芯片;单片微波集成电路;源漏金属;失效分析
中图分类号：
作者姓名：
刘世郑;陈磊;凌宗欣;陈堂胜;任春江;章军云
作者机构：
中国电子科技集团公司第五十五研究所, 江苏 南京 210016
文献出处：
引用格式：
[1]刘世郑;陈磊;凌宗欣;陈堂胜;任春江;章军云-.MMIC多功能芯片源漏金属异常的分析)[J].电子产品可靠性与环境试验,2022(05):52-55
A类：
源漏金属
B类：
MMIC,多功能芯片,片源,超薄,TEM,金属薄膜,瓶颈问题,制作工艺,凸起,能谱分析,故障点,在位,成品率,单片微波集成电路,失效分析
AB值：
0.294889
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