典型文献
容性耦合放电等离子体增强氧化硅薄膜沉积模拟研究
文献摘要：
随着集成电路技术的快速发展,芯片结构更加复杂,尺寸越来越小,对薄膜沉积的性能提出了更高的要求.等离子增强化学气相沉积(PECVD)与CVD等传统工艺相比,可以在低温下实现镀膜,提供高密度、高性能的薄膜.本工作采用二维流体蒙特卡罗模型耦合沉积剖面演化模块研究了容性耦合SiH4/N2O/Ar混合气体放电中的极板径向位置、气体比例和气压对PECVD氧化硅薄膜沉积的影响.结果表明,离子通量和中性基团通量在极板位置的差异化分布使得所沉积薄膜沿着径向存在较大的不均匀性.进一步研究发现通过增大笑气、减小Ar含量或增大气压,薄膜的沉积效率会得到提升.但是,过快的沉积速率会导致槽结构中出现"钥匙孔结构"、空位和杂质过多等一系列不良现象.这些问题在实际工艺中很棘手,在后续的研究中将通过调控放电参数等来改善薄膜质量,以期指导实际工艺.
文献关键词：
等离子体增强化学气相沉积;薄膜沉积;表面反应
中图分类号：
作者姓名：
宋柳琴;贾文柱;董婉;张逸凡;戴忠玲;宋远红
作者机构：
大连理工大学物理学院,三束材料改性教育部重点实验室,大连 116024;西南大学人工智能学院,重庆 400715
文献出处：
引用格式：
[1]宋柳琴;贾文柱;董婉;张逸凡;戴忠玲;宋远红-.容性耦合放电等离子体增强氧化硅薄膜沉积模拟研究)[J].物理学报,2022(17):1-13
A类：
B类：
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AB值：
0.413586
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