典型文献
高均一性二维碲化钼忆阻器阵列及其神经形态计算应用
文献摘要：
二维过渡金属硫化合物是构建纳米电子器件的理想材料,基于该材料体系开发用于信息存储和神经形态计算的忆阻器,受到了学术界的广泛关注.受制于低成品率和低均一性问题,二维过渡金属硫化合物忆阻器阵列鲜见报道.本研究采用化学气相沉积得到厘米级二维碲化钼薄膜,并通过湿法转移和剥离工艺制备得到碲化钼忆阻器件.该碲化钼器件表现出优异的保持性(保持时间>500 s)、快速的阻变(SET时间～60 ns,RESET时间～280 ns)和较好的循环寿命(阻变2000圈后仍可正常工作).该器件具有高成品率(96％)、低阻变循环间差异性(SET过程为6.6％,RESET过程为5.2％)和低器件间差异性(SET过程为19.9％,RESET过程为15.6％).本工作成功制备出基于MoTe2的3×3忆阻器阵列.在此基础上,将研制的MoTe2器件用于手写体识别,实现了91.3％的识别率.最后,通过对MoTe2器件高低阻态的电子输运机制进行拟合分析,揭示了该器件阻变源于类金属导电细丝的通断过程.本项工作表明大尺寸二维过渡金属硫化合物在未来神经形态计算中具有巨大的应用潜力.
文献关键词：
二维材料;碲化钼;忆阻器阵列;神经形态计算
中图分类号：
作者姓名：
何慧凯;杨蕊;夏剑;王廷泽;董德泉;缪向水
作者机构：
中国电子科技南湖研究院, 嘉兴 314002;湖北江城实验室, 武汉 430205;华中科技大学 光学与电子信息学院, 武汉光电国家实验室, 武汉 430074;华中科技大学 材料科学与工程学院, 材料加工与模具技术国家重点实验室, 武汉 430074
文献出处：
引用格式：
[1]何慧凯;杨蕊;夏剑;王廷泽;董德泉;缪向水-.高均一性二维碲化钼忆阻器阵列及其神经形态计算应用)[J].无机材料学报,2022(07):795-801
A类：
金属导电细丝
B类：
均一性,碲化钼,忆阻器阵列,神经形态计算,二维过渡金属,硫化合物,电子器件,材料体系,信息存储,受制于,成品率,鲜见,见报,化学气相沉积,厘米,湿法转移,工艺制备,忆阻器件,ns,RESET,循环寿命,低阻,MoTe2,手写体,识别率,电子输运,输运机制,拟合分析,类金属,通断,本项,工作表,明大,大尺寸,二维材料
AB值：
0.292774
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