典型文献
Ⅱ类超晶格探测器背面减薄技术研究
文献摘要：
为了验证外延材料制备工艺试验的正确性,减少GaSb衬底对红外光的吸收,同时提升探测器的可靠性和长期稳定性,需要对Ⅱ类超晶格红外探测器的GaSb衬底进行减薄处理.采用机械抛光法和机械化学抛光法实现Ⅱ类超晶格探测器的GaSb衬底背面减薄,最后利用专用腐蚀液腐蚀的方法将GaSb衬底全部去除,使Ⅱ类超晶格材料完全露出.扫描电镜测试表明,超晶格材料腐蚀阻挡层能起到较好的阻挡作用,材料表面光滑,衬底无残留.探测器性能测试结果表明,减薄后的探测器芯片性能未发生变化.
文献关键词：
Ⅱ类超晶格;锑化镓衬底;背面减薄;腐蚀
中图分类号：
作者姓名：
李春领;封雪;邢伟荣;温涛;周朋
作者机构：
华北光电技术研究所,北京100015
文献出处：
引用格式：
[1]李春领;封雪;邢伟荣;温涛;周朋-.Ⅱ类超晶格探测器背面减薄技术研究)[J].红外,2022(09):10-14
A类：
背面减薄,锑化镓衬底
B类：
超晶格,薄技,材料制备,制备工艺,工艺试验,GaSb,长期稳定性,红外探测器,机械抛光,机械化学,化学抛光,晶格材料,扫描电镜测试,测试表明,材料腐蚀,阻挡层,表面光,无残留
AB值：
0.245601
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