典型文献
InGaAs光电阴极制备工艺中的原位光电子能谱
文献摘要：
为了探索InGaAs光电阴极高温净化工艺的最佳加热温度点,利用超高真空光电阴极制备与表征互联装置开展了不同加热温度点下的高温净化实验和表面铯/氧(Cs/O)激活实验.通过扫描聚焦X射线光电子能谱对化学清洗后、高温净化后以及表面激活后的InGaAs样品表面进行原位分析,检测不同温度点下表面杂质的脱附程度和化学元素组成变化.结果 表明,样品表面的碳污染物和氧化物在625℃时都被完全去除,获得原子级清洁表面,但此时In元素会出现挥发现象,导致材料表面In含量降低,会使InGaAs材料的红外响应特性不明显,因此600℃被认为是最佳加热温度.结合原位紫外光电子能谱发现二次电子截止边随着温度的升高不断向高结合能的位置偏移,这表明高温净化能有效降低表面功函数值,而Cs/O激活能进一步降低表面功函数值,获得负电子亲和势,提高InGaAs光电阴极的近红外光电发射性能.
文献关键词：
材料;InGaAs光电阴极;光电子能谱;高温净化;铯/氧激活
中图分类号：
作者姓名：
李姗;张益军;荣敏敏;李诗曼;石峰;焦岗成;王自衡;钱芸生
作者机构：
南京理工大学电子工程与光电技术学院,江苏南京210094;微光夜视技术重点实验室,陕西西安710065
文献出处：
引用格式：
[1]李姗;张益军;荣敏敏;李诗曼;石峰;焦岗成;王自衡;钱芸生-.InGaAs光电阴极制备工艺中的原位光电子能谱)[J].光学学报,2022(01):191-198
A类：
高温净化
B类：
InGaAs,光电阴极,制备工艺,净化工艺,加热温度,超高真空,制备与表征,互联装置,化实验,Cs,化学清洗,洗后,原位分析,下表面,脱附,化学元素,元素组成,碳污染,原子级,含量降低,响应特性,紫外光电子能谱,二次电子,截止,结合能,位置偏移,表面功函数,函数值,激活能,负电子,近红外光
AB值：
0.299194
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