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InAs/GaSbⅡ类超晶格材料界面特性的表征分析
文献摘要：
本文系统地介绍了国内外研究机构对超晶格界面进行研究时采用的测试分析手段.其中,通过拉曼光谱、高分辨率透射电子显微镜(HRTEM)、扫描隧道显微镜(STM)、二次离子质谱(SIMS)、X射线光电子能谱(XPS)等测试方法可以对InAs/GaSbⅡ类超晶格材料界面类型、界面粗糙度、陡峭性等特性进行测试分析,从而评估超晶格界面质量.光致发光谱(PL谱)、高分辨率X射线衍射(HRXRD)、霍尔测试、吸收光谱等测试方法则可以研究超晶格界面质量对超晶格材料能带、晶体质量、光学性质的影响.
文献关键词：
InAs/GaSb Ⅱ类超晶格;InSb-like界面;GaAs-like界面;陡峭性
中图分类号：
作者姓名：
任洋;覃钢;李俊斌;杨晋;李艳辉;杨春章;孔金丞
作者机构：
昆明物理研究所,云南 昆明 650223
文献出处：
引用格式：
[1]任洋;覃钢;李俊斌;杨晋;李艳辉;杨春章;孔金丞-.InAs/GaSbⅡ类超晶格材料界面特性的表征分析)[J].红外技术,2022(02):115-122
A类：
陡峭性
B类：
InAs,GaSb,超晶格,晶格材料,界面特性,表征分析,测试分析,分析手段,拉曼光谱,透射电子显微镜,HRTEM,扫描隧道显微镜,STM,二次离子质谱,SIMS,光电子能谱,XPS,界面粗糙度,光致发光谱,PL,HRXRD,霍尔,吸收光谱,晶体质量,光学性质,InSb,like,GaAs
AB值：
0.352387
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