典型文献
二维MoS2压痕过程异质界面范德瓦耳斯力引起的撕裂行为
文献摘要：
结合扫描电子显微镜视频模块和原位纳米力学测试系统,采用纳米压痕法研究了二维材料范德瓦耳斯异质结构的剥离撕裂行为.利用湿法转移将化学气相沉积法制备的二维MoS2纳米片,在SiO2/Si基底上组装成MoS2/SiO2异质结构,然后采用原位力学杆探针对其实施压入实验.钨探针压入MoS2纳米片形成W/MoS2/SiO2新的异质结构.探针回撤过程,黏附作用使二维MoS2纳米片从SiO2/Si基底剥离形成鼓包,达到一定高度后沿针尖接触圆弧线发生不完全穿透断裂.未断裂部分开始发生沿两个长条形裂纹面解理同时MoS2/SiO2界面分离,随后MoS2纳米片发生大面积撕裂现象.通过密度泛函理论计算范德瓦耳斯异质界面结合能密度,结果表明MoS2/W的界面结合能密度比MoS2/SiO2更大,解释了MoS2纳米片在异质界面范德瓦耳斯力引起的黏附剥离现象.基于薄膜撕裂模型,利用扫描电子显微镜实时记录的MoS2纳米片剥离高度和撕裂长度,可确定MoS2断裂强度为27.055 GPa和应力-应变关系.密度泛函理论计算结果表明,MoS2断裂强度为21.7—32.5 GPa,应力-应变关系与薄膜撕裂模型实验测量结果基本一致.该工作有望在探究二维材料断裂强度、二维材料及其范德瓦耳斯异质结构器件的组装、拆卸的操控与可靠性设计方面发挥重要的指导作用.
文献关键词：
范德瓦耳斯异质结构;撕裂;界面结合能密度;断裂强度
中图分类号：
作者姓名：
李耀华;董耀勇;董辉;郑学军
作者机构：
湘潭大学机械工程学院, 湘潭 411105
文献出处：
引用格式：
[1]李耀华;董耀勇;董辉;郑学军-.二维MoS2压痕过程异质界面范德瓦耳斯力引起的撕裂行为)[J].物理学报,2022(19):192-200
A类：
原位纳米力学,范德瓦耳斯异质结构,界面结合能密度
B类：
MoS2,程异,异质界面,撕裂,纳米力学测试,测试系统,纳米压痕法,二维材料,湿法转移,化学气相沉积法,纳米片,SiO2,装成,施压,回撤,黏附作用,鼓包,针尖,圆弧,弧线,始发,长条形,解理,过密,密度泛函理论计算,密度比,实时记录,断裂强度,GPa,模型实验,实验测量,拆卸,操控,可靠性设计
AB值：
0.207501
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