典型文献
H+离子辐照Y0.5Gd0.5Ba2Cu3O7–δ超导层中的缺陷演化
文献摘要：
为提高RE-Ba-Cu-O涂层导体在强磁场下的超导载流能力,本文采用离子辐照的方式拟在RE-Ba-Cu-O涂层导体产生缺陷以引入磁通钉扎中心.实验利用320 kV高电荷态离子综合研究平台对RE-Ba-Cu-O第二代高温超导带材进行H+离子辐照,进一步采用多普勒展宽慢正电子束分析及拉曼光谱技术研究了剂量在5.0×1014—1.0×1016 ions/cm2范围内H+离子辐照后RE-Ba-Cu-O带材的微观结构的变化规律.研究结果表明,随H+离子辐照剂量增大,Y0.5Gd0.5Ba2Cu3O7–d超导层中产生了包括空位或空位团簇型等类型缺陷,缺陷增多,缺陷类型复杂性增加;涂层中氧原子发生重排,Cu-O面间距增加,涂层正交相结构被破坏.此类离子辐照产生的缺陷为磁通钉扎中心的引入奠定基础.
文献关键词：
第二代高温超导带材;离子辐照;正电子湮没;空穴
中图分类号：
作者姓名：
但敏;陈伦江;贺岩斌;吕兴旺;万俊豪;张虹;张珂嘉;杨莹;金凡亚
作者机构：
核工业西南物理研究院,成都 610207
文献出处：
引用格式：
[1]但敏;陈伦江;贺岩斌;吕兴旺;万俊豪;张虹;张珂嘉;杨莹;金凡亚-.H+离子辐照Y0.5Gd0.5Ba2Cu3O7–δ超导层中的缺陷演化)[J].物理学报,2022(23):369-374
A类：
5Gd0,5Ba2Cu3O7,高电荷态离子,第二代高温超导带材
B类：
H+,离子辐照,Y0,缺陷演化,RE,强磁场,场下,载流能力,磁通钉扎,kV,综合研究,研究平台,多普勒展宽,慢正电子束,拉曼光谱技术,ions,辐照剂量,空位,团簇,缺陷类型,氧原子,重排,正交相,相结构,正电子湮没,空穴
AB值：
0.234674
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