典型文献
颗粒级配对Si3N4w/Si3N4复合材料弯曲强度与介电性能的影响
文献摘要：
为了获得一种弯曲和介电性能良好的氮化物陶瓷材料,本工作首先以氮化硅晶须(Si3 N4w)为原料,采用喷雾造粒工艺制备3种具有不同粒径分布的Si3 N4w球形颗粒粉体,研究雾化盘转速对Si3 N4w球形颗粒粉体粒径分布的影响.然后以喷雾造粒得到的Si3 N4w球形颗粒为原料,采用干压法制备3种颗粒级配的Si3 N4w预制体,研究颗粒级配Si3 N4w预制体的孔径分布.采用化学气相渗透(CVI)和先驱体浸渍裂解(PIP)工艺在3种颗粒级配的Si3 N4w预制体中进一步制备Si3 N4基体,研究Si3 N4w/Si3 N4复合材料制备过程中的物相和微结构演变以及颗粒级配对Si3 N4w/Si3 N4复合材料的微结构、密度、弯曲强度和介电性能的影响.结果表明:3种颗粒级配的Si3 N4w预制体均具有二级孔隙特征,其中小孔孔径均约为0.7μm,大孔孔径分别为45.2,30.1μm和21.3μm.在制备的3种颗粒级配的Si3 N4w/Si3 N4复合材料中,S13样品的颗粒级配效果最好,复合材料的弯曲强度达到81.59 MPa.此外,该样品的介电常数和介电损耗分别为5.08和0.018.良好的弯曲强度和介电性能表明制备的Si3 N4w/Si3 N4复合材料有望应用于导弹天线罩领域.
文献关键词：
喷雾造粒;二级孔隙;Si3 N4w预制体;颗粒级配;Si3 N4w/Si3 N4复合材料
中图分类号：
作者姓名：
崔雪峰;许泽水;姚远洋;李明星;叶昉;成来飞
作者机构：
西北工业大学 超高温结构复合材料重点实验室,西安 710072
文献出处：
引用格式：
[1]崔雪峰;许泽水;姚远洋;李明星;叶昉;成来飞-.颗粒级配对Si3N4w/Si3N4复合材料弯曲强度与介电性能的影响)[J].材料工程,2022(10):29-37
A类：
Si3N4w,N4w,二级孔隙
B类：
颗粒级配,弯曲强度,介电性能,氮化物,陶瓷材料,先以,氮化硅,晶须,喷雾造粒,造粒工艺,工艺制备,不同粒径,粒径分布,球形颗粒,粉体,雾化,预制体,孔径分布,化学气相渗透,CVI,先驱体浸渍裂解,PIP,复合材料制备,制备过程,结构演变,孔隙特征,小孔,S13,介电常数,介电损耗,导弹,天线罩
AB值：
0.169184
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