典型文献
Eu3+,Tm3+共掺GaN薄膜的发光特性和能量传递机制
文献摘要：
采用离子注入的方法制备了Eu3+,Tm3+离子共掺杂GaN薄膜.通过温度依赖光致发光光谱研究了GaN:Eu3+薄膜中Eu3+的发光特性,发现了三类具有不同温度依赖特性的Eu3+发射峰.利用阴极荧光光谱探究了GaN:Eu3+,Tm3+薄膜的光谱性质,发现随着Tm3+剂量的增加,Eu3+发射强度以及Tm3+的I480/I806强度比值均发生降低,分析表明存在Eu3+→Tm3+离子的能量传递,并通过计算分析证明其能量传递机制主要为电偶极子-电偶极子相互作用.通过改变Eu3+、Tm3+离子在GaN薄膜中的剂量比例,实现了材料发光颜色的有效调控.
文献关键词：
光电子;光致发光;阴极荧光;氮化镓;铕;铥;能量传递
中图分类号：
作者姓名：
王丹;夏永禄;王晓丹;陈华军;陈家凡;毛红敏;曾雄辉;徐科
作者机构：
苏州科技大学 物理科学与技术学院 江苏省微纳热流技术与能源应用重点实验室,江苏 苏州215009;中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所,江苏 苏州215123
文献出处：
引用格式：
[1]王丹;夏永禄;王晓丹;陈华军;陈家凡;毛红敏;曾雄辉;徐科-.Eu3+,Tm3+共掺GaN薄膜的发光特性和能量传递机制)[J].光子学报,2022(09):136-144
A类：
I480,I806
B类：
Eu3+,Tm3+,GaN,发光特性,能量传递,传递机制,离子注入,离子共掺杂,光致发光光谱,赖特,阴极荧光,荧光光谱,光谱性质,强度比,电偶极子,有效调控,光电子,氮化镓
AB值：
0.236564
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