典型文献
分子束外延高铟组分InGaAs薄膜研究
文献摘要：
研究了分子束外延生长条件对高铟组分InGaAs材料性能的影响,分析了生长温度、V/III比和As分子束形态对In0.74Ga0.26As材料光致发光和X射线衍射峰强度、本底载流子浓度和迁移率的影响.测试结果表明:适中的生长温度和V/III比可以提高材料晶格质量,减少非辐射复合,降低本底杂质浓度.As分子束为As2时In0.74Ga0.26As材料质量优于As4分子束.当生长温度为570℃,As分子束形态为As2,V/III比为18时,可以获得较高的光致发光和X射线衍射峰强度,室温和77 K下的本底载流子浓度分别达到6.3×1014 cm-3和4.0×1014 cm-3,迁移率分别达到13400 cm2/Vs和45160 cm2/Vs.
文献关键词：
InGaAs;高铟组分;短波红外;分子束外延;迁移率
中图分类号：
作者姓名：
杨瑛;王红真;范柳燕;陈平平;刘博文;贺训军;顾溢;马英杰;李淘;邵秀梅;李雪
作者机构：
哈尔滨理工大学电气与电子工程学院,黑龙江哈尔滨150080;中国科学院上海技术物理研究所传感技术国家重点实验室,上海200083;中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室,上海200083
文献出处：
引用格式：
[1]杨瑛;王红真;范柳燕;陈平平;刘博文;贺训军;顾溢;马英杰;李淘;邵秀梅;李雪-.分子束外延高铟组分InGaAs薄膜研究)[J].红外与毫米波学报,2022(06):987-994
A类：
高铟组分,74Ga0,26As,As4
B类：
InGaAs,分子束外延生长,生长条件,材料性能,III,In0,光致发光,衍射峰强度,载流子浓度,迁移率,适中,高材,晶格,非辐射复合,低本底,杂质浓度,As2,材料质量,Vs,短波红外
AB值：
0.274015
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