典型文献
rGO-Sb2Se3薄膜电化学共沉积制备及光电化学性能
文献摘要：
采用恒电位沉积法,在二元Sb-GO溶液体系中得到rGO-Sb预制层,在此过程中,GO被有效还原成rGO,并与Sb形成化学键.随后通过将预制层进行二段硒化热处理,快速去除多余的Se制备出rGO-Sb2Se3光阴极薄膜.通过XRD、SEM、Raman、XPS、UV-vis及PEC等手段对薄膜样品进行表征以及光电化学性能测试.结果表明:负载rGO使得rGO-Sb2Se3在700 nm以内的可见光区域的光吸收系数显著提升.rGO优良的导电性能及较高的载流子迁移率,可以快速转移电荷,抑制载流子的复合,因此光电化学性能以及光稳定性大大提高,光电流密度增大至接近Sb2Se3单相的2倍(?0.20 mA/cm2).又因为rGO-Sb2Se3导带位置(?0.74 V vs.RHE)远负于析氢电位(0 V vs.RHE),故可作为一种新型光还原产氢的阴极,具备广阔的应用前景.
文献关键词：
恒电位沉积;硒化锑;还原氧化石墨烯;光电化学
中图分类号：
作者姓名：
杨海超;陈建宇;刘芳洋;贾明;蒋良兴
作者机构：
中南大学 冶金与环境学院,长沙 410083;长江存储科技有限责任公司,武汉 430000
文献出处：
引用格式：
[1]杨海超;陈建宇;刘芳洋;贾明;蒋良兴-.rGO-Sb2Se3薄膜电化学共沉积制备及光电化学性能)[J].中国有色金属学报,2022(01):87-99
A类：
硒化锑
B类：
rGO,Sb2Se3,化学共沉积,光电化学性能,恒电位沉积,沉积法,预制,还原成,化学键,层进,二段,化热,热处理,多余,光阴极,Raman,XPS,UV,vis,PEC,可见光,光吸收系数,导电性能,载流子迁移率,电荷,光稳定性,光电流,电流密度,单相,mA,导带,RHE,负于,析氢,光还原,原产,产氢,还原氧化石墨烯
AB值：
0.31741
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